Chemically amplified resist is produced on the basis of vinyl polymer having 3-oxo-4-oxabicyclo[3.2.1]otane-2-yl group expressed by general formula (1) ##STR1## where each of L.sup.1, L.sup.2, L.sup.3, L.sup.4, L.sup.5 and L.sup.6 is selected from the group consisting of hydrogen atom and alkyl groups having the carbon number from 1 to 8, and the hydrogen atom and/or the alkyl group at L.sup.5 and L.sup.6 are replaced with alkylene groups having the carbon number from 1 to 10 and bonded to each other for forming a ring so that the resist exhibits high transparency to light equal to or less than 220 nm wavelength, large resistance against dry etching and good adhesion to substrates.

Chemisch verstärkt widerstehen Sie wird produziert auf der Grundlage von das Vinylpolymer-Plastik, das Gruppe 3-oxo-4-oxabicyclo[3.2.1]otane-2-yl durch allgemeines Formel (1) ausdrücken läßt ## STR1 ##, in dem jedes von L.sup.1, von L.sup.2, von L.sup.3, von L.sup.4, von L.sup.5 und von L.sup.6 von der Gruppe vorgewählt wird, die aus dem Wasserstoffatom und Alkylgruppen haben die Carbonzahl von 1 bis 8 besteht, und das Wasserstoffatom und/oder die Alkylgruppe an L.sup.5 und an L.sup.6 werden mit den Alkengruppen ersetzt, welche die Carbonzahl von 1 bis 10 haben und abgebunden miteinander für die Formung eines Ringes, damit widerstehen hohes Transparent ausstellt, um Gleichgestelltes zu oder weniger als 220 nm die Wellenlänge zu beleuchten, des großen Widerstandes gegen trockene Radierung und der guten Adhäsion zu den Substraten.

 
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