A test array includes row conductors, column conductors, and memory cells located at crossing points of the row and column conductors. The test array can have groups of the row conductors or the column conductors electrically coupled, or ganged together, so that they share common terminals. Other selected row and column conductors can have individual terminals. In this configuration, memory cells located at the intersection of row and column conductors that have individual terminals can have their characteristics measured using a test apparatus. Ganging together groups of row or column conductors means that the test array has fewer terminals for connection to the test apparatus. Therefore, a test apparatus having a limited number of probes for connection to test array terminals can be used to test arrays of various sizes.

Μια σειρά δοκιμής περιλαμβάνει τους αγωγούς σειρών, τους αγωγούς στηλών, και τα κύτταρα μνήμης που βρίσκονται στο πέρασμα των σημείων των αγωγών σειρών και στηλών. Η σειρά δοκιμής μπορεί να έχει τις ομάδες των αγωγών σειρών ή των αγωγών στηλών που συνδέονται ηλεκτρικά, ή μαζί, έτσι ώστε μοιράζονται τα κοινά τερματικά. Αλλοι επιλεγμένοι αγωγοί σειρών και στηλών μπορούν να έχουν τα μεμονωμένα τερματικά. Σε αυτήν την διαμόρφωση, τα κύτταρα μνήμης που βρίσκονται στη διατομή των αγωγών σειρών και στηλών που έχουν τα μεμονωμένα τερματικά μπορούν να μετρήσουν τα χαρακτηριστικά τους χρησιμοποιώντας μια συσκευή δοκιμής. Ganging συγκεντρώνει της σειράς ή οι αγωγοί στηλών σημαίνουν ότι η σειρά δοκιμής έχει λιγότερα τερματικά για τη σύνδεση στις συσκευές δοκιμής. Επομένως, μια συσκευή δοκιμής που έχει έναν περιορισμένο αριθμό ελέγχων για τη σύνδεση στα τερματικά σειράς δοκιμής μπορεί να χρησιμοποιηθεί για να εξετάσει τις σειρές διάφορων μεγεθών.

 
Web www.patentalert.com

< Thin film magnetic memory device having a highly integrated memory array

< Semiconductor device

> Magnetic memory with tunnel junction memory cells and phase transition material for controlling current to the cells

> Magnetoresistive random access memory device and method of fabrication thereof

~ 00088