The present invention has an object to provide an integrated circuit device having a Cu wiring, using a barrier layer which facilitates planarization. The present invention relates to an integrated circuit device having a Cu wiring layer, a barrier layer therefor and a dielectric layer, wherein the barrier layer is represented by a compositional formula of TaO.sub.x N.sub.y (the range of x being 0 La actual invención tiene un objeto para proporcionar un dispositivo del circuito integrado que tiene un cableado del Cu, usando una capa de barrera que facilite el planarization. La actual invención se relaciona con un dispositivo del circuito integrado que tiene una capa del cableado del Cu, una capa de barrera por consiguiente y una capa dieléctrica, en donde la capa de barrera es representada por un fórmula compositivo de TaO.sub.x N.sub.y (la gama de x que es 0