A semiconductor device having high TFT characteristics is realized. In a pixel matrix circuit of an AM-LCD, a lower electrode of a storage capacitor is made to include an element in group 15 and a catalytic element used for crystallization, so that its resistance is reduced. Further, a dielectric of the storage capacitor is made thin, so that capacity can be secured without increasing an area for formation of the capacitance. Thus, it becomes possible to secure sufficient storage capacitor even in the AM-LCD having a size of 1 inch or less in diagonal without lowering an opening ratio.

Ein Halbleiterelement, das hohe TFT Eigenschaften hat, wird verwirklicht. In einem Pixelmatrixstromkreis eines AM-LCD, wird eine unterere Elektrode eines Speicherkondensators gebildet, um ein Element in Gruppe 15 und ein katalytisches Element einzuschließen, das für Kristallisation benutzt wird, damit sein Widerstand verringert wird. Weiter wird ein Nichtleiter des Speicherkondensators dünn gebildet, damit die Kapazität gesichert werden kann, ohne einen Bereich für Anordnung der Kapazitanz zu erhöhen. So wird er möglich, genügenden Speicherkondensator sogar im AM-LCD zu sichern, das eine Größe von 1 Zoll hat oder kleiner in der Diagonale, ohne ein Öffnung Verhältnis zu senken.