A fuse read sequence for a memory device is disclosed. The fuse read sequence obtains enhanced energy efficiency by selectively reading or strobing antifuse or fuse circuit banks of the memory device in response to operational commands of the memory device. More particularly, the column antifuse circuit banks of a SDRAM are read in response to a load mode register command and the row and option antifuse circuit banks are read in response to auto refresh commands. Furthermore, only half of the row/option antifuse circuit banks are read on each auto refresh command.

Показан взрыватель прочитал последовательность для приспособления памяти. Взрыватель прочитал последовательность получает увеличенное КПД энергии кренами цепи селективно читать или antifuse или взрывателя постробирования приспособления памяти in response to рабочие команды приспособления памяти. Определенно, крены цепи antifuse колонки SDRAM прочитаны in response to команда регистра режима нагрузки и крены цепи antifuse рядка и варианта прочитаны in response to автомобиль освежают команды. Furthermore, только половина кренов цепи antifuse row/option прочитана на каждом автомобиле освежает команду.