To improve performance, a capacitor is provided between storage nodes of an SRAM and a device having an analog capacitor on a single substrate, a plug is formed in a silicon oxide film on a pair of n channel type MISFETs in a memory cell forming area, and a local wiring LIc for connecting respective gate electrodes and drains of the pair of n channel type MISFETs is formed over the silicon oxide film and the plug. Thereafter, a capacitive insulating film and an upper electrode are formed over the local wiring LIc.

Um Leistung zu verbessern, wird ein Kondensator zwischen Speichernullpunkten eines SRAM und einer Vorrichtung, die einen analogen Kondensator auf einem einzelnen Substrat hat zur Verfügung gestellt, wird ein Stecker in einem Silikonoxidfilm auf einem Paar n Kanaltyp MISFETs in einer Speicherzelle gebildet, die Bereich bildet, und eine lokale Verdrahtung LIc für das Anschließen der jeweiligen Gate-Elektroden und der Abflüsse des Paares des n Kanaltyps MISFETs wird über dem Silikonoxidfilm und dem Stecker gebildet. Danach werden ein kapazitiver isolierender Film und eine obere Elektrode über der lokalen Verdrahtung LIc gebildet.