A surface emitting semiconductor laser and a method for manufacturing a
surface emitting semiconductor laser array which are capable of
controlling the polarization plane of a laser beam in constant direction
and obtaining a low threshold current are provided. The surface emitting
semiconductor laser is provided with a first reflection mirror layer of
the first conduction type formed on the main plane of a semiconductor
substrate, an active layer having a quantum well laminated above the first
reflection mirror layer, a post having a second reflection mirror layer of
the second conduction type different from the first conduction type for
constituting an resonator structure together with the first reflection
mirror, and plurality of peripheral high resistance layers having the
periphery of high resistance inserted between the first reflection mirror
layer and the second reflection mirror layer, and which plurality of
peripheral high resistance layers are different from each other in
proportion of non-high resistance in the plane parallel to the main plane
of the semiconductor substrate.
Un laser superficial del semiconductor que emite y un método para fabricar un arsenal de laser superficial del semiconductor que emite que sean capaz de controlar el plano de la polarización de un rayo laser en la dirección constante y de obtener una corriente baja del umbral se proporcionan. El laser superficial del semiconductor que emite se proporciona una primera capa del espejo de la reflexión del primer tipo de la conducción formado en el plano principal de un substrato del semiconductor, una capa activa que tiene un quántum laminado bien sobre la primera capa del espejo de la reflexión, un poste que tiene una segunda capa del espejo de la reflexión del segundo tipo de la conducción diferente del primer tipo de la conducción para constituir una estructura del resonador junto con el primer espejo de la reflexión, y la pluralidad de altas capas periféricas de la resistencia que tienen la periferia de la alta resistencia insertada entre la primera capa del espejo de la reflexión y la segunda capa del espejo de la reflexión, y en que la pluralidad de altas capas periféricas de la resistencia es diferente de uno a en la proporción no-alta de resistencia el plano paralelo al plano principal del substrato del semiconductor.
