The invention relates to a process for forming bilayer resist images with a chemically-amplified, radiation-sensitive bilayer resist. The bilayer resist is disposed on a substrate and comprises (i) a top imaging layer comprising a radiation-sensitive acid generator and a vinyl polymer having an acid-cleavable silylethoxy group and (ii) an organic underlayer. The bilayer resist is used in the manufacture of integrated circuits.

L'invenzione riguarda un processo per formare il bilayer resiste alle immagini con un bilayer chimico-amplificato e sensibile alla radiazione resiste a. Il bilayer resiste a è disposto di su un substrato e contiene (i) un lo strato superiore di formazione immagine che contengono un generatore acido sensibile alla radiazione e un polimero del vinile che hanno un gruppo acido-acid-cleavable di silylethoxy e (ii) un underlayer organico. Il bilayer resiste a è usato nella fabbricazione di circuiti integrati.