The present invention provides a silicon wafer sliced from a silicon single crystal ingot grown by the Czochralski method under such conditions that V-rich region should become dominant, wherein count number of particles having a size of 0.1 .mu.m or more is 1 count/cm.sup.2 or less when particles are counted by using a particle counter and a method for producing a silicon single crystal. Thus, there is provided a production technique that can improve productivity and reduce cost for high quality silicon wafers of excellent device characteristics by further reducing density and size of defects such as COP.

La présente invention fournit une gaufrette de silicium découpée en tranches d'un lingot de cristal simple de silicium développé par la méthode de Czochralski dans de telles conditions que la région V-riche devrait devenir dominante, où le nombre de compte de particules ayant une taille de 0.1 mu.m ou de plus est 1 count/cm.sup.2 ou moins quand des particules sont comptées en employant un compteur de particules et une méthode pour produire un cristal simple de silicium. Ainsi, on fournit une technique de production qui peut améliorer la productivité et réduire le coût pour des gaufrettes de silicium de haute qualité d'excellentes caractéristiques de dispositif en réduisant plus loin la densité et la taille des défauts tels que la CANNETTE DE FIL.