An improvement to the optical proximity correction process used in photolithography. Mask pattern modeling is added to the optical proximity correction process, producing patterns that are optimized for both reticle manufacture and wafer fabrication. Pattern validation is improved by applying a mask pattern model and a wafer pattern model to the validation process. Reticle inspection is improved by adding a mask inspection tool model that comprehends the limitations of the inspection tool.

Une amélioration au processus optique de correction de proximité utilisé dans la photolithographie. Modeler de modèle de masque est ajouté au processus optique de correction de proximité, produisant les modèles qui sont optimisés pour la fabrication de réticule et la fabrication de gaufrette. La validation de modèle est améliorée en appliquant un modèle de modèle de masque et un modèle de modèle de gaufrette au procédé de validation. L'inspection de réticule est améliorée en ajoutant un modèle d'outil d'inspection de masque qui comprend les limitations de l'outil d'inspection.