A surface acoustic wave device includes a piezoelectric substrate made of a LiNO.sub.3 or LiTaO.sub.3 single crystal, and an electrode having power endurance. After a damaged layer formed on a surface of the piezoelectric substrate is removed, an under-electrode layer including at least one of Ti and Cr as a main component is formed by a vacuum deposition process at a temperature of about 100.degree. C. or less, and an Al electrode layer including Al or an Al main component is then formed on the under-electrode layer. The Al electrode layer has a twin crystal structure in which the Al crystal is oriented in a desired direction such that the (111) crystal plane of Al substantially coincides with the Z crystal direction of the piezoelectric substrate.

Um dispositivo de superfície da onda acústica inclui uma carcaça piezoelectric feita de um único cristal LiNO.sub.3 ou LiTaO.sub.3, e um elétrodo que tem a resistência do poder. Depois que uma camada danificada dada forma em uma superfície da carcaça piezoelectric é removida, uma camada do sob-elétrodo including ao menos um do ti e o cr como um componente principal está dada forma por um processo do deposition de vácuo em uma temperatura aproximadamente de 100.degree. O C. ou menos, e uma camada do elétrodo do al including o al ou um componente principal do al são dados forma então na camada do sob-elétrodo. A camada do elétrodo do al tem uma estrutura de cristal do gêmeo em que o cristal do al é orientado em um sentido desejado tais que (os 111) planos de cristal do al coincidem substancialmente com o sentido de cristal de Z da carcaça piezoelectric.