A sheet for holding and protecting semiconductor wafers which can closely follow up even a wafer surface having large roughness is disclosed. The hot-melt sheet for holding and protecting semiconductor is applied to a surface of a semiconductor wafer to thereby hold and protect the semiconductor wafer in processing the semiconductor wafer. The sheet comprises a hot-melt layer A having a melting point of 105.degree. C. or below. A pressure-sensitive adhesive layer B may be formed on one surface of the hot-melt layer A. A reinforcing layer C having a melting point higher by 20.degree. C. or more than that of hot-melt layer A may further be formed on one surface of the hot-melt layer A, provided that when the pressure-sensitive adhesive layer B is formed on one surface of the hot-melt layer A, the reinforcing layer C is formed on the opposite surface thereof.

Показан лист для держа и защищая вафель полупроводника могут близко follow up даже поверхность вафли имея большую шершавость. Горяч-rasplav6te лист для держать и защищая полупроводник приложен к поверхности вафли полупроводника таким образом для того чтобы держать и защищать вафлю полупроводника в обрабатывать вафлю полупроводника. Лист состоит из горяч-plavit слой а имея точку плавления 105.degree. C или ниже. Pressure-sensitive слипчивый слой б может быть сформирован на одной поверхности горяч-plavit слой а. Усиливая слой ч имея точка плавления более высоко 20.degree. C или больше чем то из горяч-plav4t слой а могут более далее быть сформированы на одной поверхности горяч-plav4t слой а, provided that когда pressure-sensitive слипчивый слой б сформирован на одной поверхности горяч-rasplav6te слой а, усиливая слой ч сформированы на противоположной поверхности thereof.