A magnetoresistive tunneling junction memory cell (10) including a pinned ferromagnetic region (17) having a magnetic moment vector (47) fixed in a preferred direction in the absence of an applied magnetic field wherein the pinned ferromagnetic region has a magnetic fringing field (96), an electrically insulating material positioned on the pinned ferromagnetic region to form a magnetoresistive tunneling junction (16), and a free ferromagnetic region (15) having a magnetic moment vector (53) oriented in a position parallel or anti-parallel to that of the pinned ferromagnetic region wherein the magnetic fringing field is chosen to obtain a desired switching field.

Магниторезистивный ячейкы памяти (10) соединения прокладывать тоннель включая прикалыванную сегнетомагнитную зону (1ъ) имея магнитный вектор момента (47) быть зафиксированным в предпочитаемом направлении в отсутствии applied магнитного поля при котором прикалыванная сегнетомагнитная зона имеет магнитное окаймляя поле (96), электрически изолируя материал расположенный на прикалыванную сегнетомагнитную зону для того чтобы сформировать магниторезистивное соединение прокладывать тоннель (16), и свободно сегнетомагнитную зону (15) имея магнитный вектор момента (53) быть ориентированным в положении параллельном или анти-parallel6nom к той из прикалыванной сегнетомагнитной зоны при котором магнитное окаймляя поле выбрано для того чтобы получить заданное переключая поле.