A photedetector uses a semiconductor on insulator (SOI) substrate having an optical grating over the silicon semiconductor to change the direction of incident light to divert it into the silicon which functions as waveguide. The underlying insulator operates as one boundary of the waveguide and the overlying grating operates as the other. Photodetector electrodes are placed in the silicon, which puts them in close proximity to the carriers that are generated by the light entering the silicon waveguide.

Um photedetector usa um semicondutor na carcaça do isolador (SOI) que tem um grating ótico sobre o semicondutor do silicone mudar o sentido da luz do incident para desviá-lo no silicone que funciona como o waveguide. O isolador subjacente opera-se como um limite do waveguide e o grating sobrejacente opera-se como o outro. Os elétrodos do photodetector são colocados no silicone, que os põe na proximidade próxima aos portadores que são gerados pela luz que entra no waveguide do silicone.