A method and an apparatus for performing trench depth analysis in semiconductor device manufacturing. A first processing on at least one semiconductor wafer is performed. Optical trench data is acquired from the processed semiconductor wafer. An optical trench analysis, based upon the optical trench data, is performed. A corrective feedback step is performed during a second processing of the semiconductor wafer in response to the optical trench analysis.

Un método y un aparato para realizar análisis de la profundidad del foso en la fabricación del dispositivo de semiconductor. Un primer proceso en por lo menos una oblea de semiconductor se realiza. Los datos ópticos del foso se adquieren de la oblea de semiconductor procesada. Un análisis óptico del foso, basado sobre los datos ópticos del foso, se realiza. Un paso correctivo de la regeneración se realiza durante un segundo proceso de la oblea de semiconductor en respuesta al análisis óptico del foso.