There is disclosed a method of forming a metal wiring in a semiconductor device. The method includes forming a seed layer on a semiconductor substrate in which given structures including a lower metal wiring are formed, forming a photosensitive film pattern so that the seed layer can be exposed in the lower wiring portion, filling a metal layer by electroplating method in the pattern portion of the photosensitive film, removing the photosensitive film pattern, forming a diffusion barrier layer spacer on the sidewall of the metal layer, and forming an insulating film on the entire structure. Therefore, the present invention can solve poor contact with a lower wiring that is caused by shortage of processional margin in the process of forming an upper metal wiring in a higher-integration semiconductor device.

Показано методу формировать проводку металла в прибора на полупроводниках. Метод вклюает формировать слой семени на субстрате полупроводника в, котор сформированы дали структуры включая более низкую проводку металла, формируя фоточувствительную картину пленки так, что слой семени можно подвергнуть действию в более низкую часть проводки, завалку слой металла путем гальванизируя метод в части картины фоточувствительной пленки, извлекающ фоточувствительную картину пленки, формирующ прокладку слоя барьера диффузии на стенке слоя металла, и формирующ изолируя пленку на всей структуре. Поэтому, присытствыющий вымысел может разрешить бедные контактирует с более низкой проводкой которая причинена недостатком допустимого предела processional in the process of формировать верхнюю проводку металла в прибора на полупроводниках высок-vnedreni4.