A ferroelectric thin film capacitor and a method for producing the same wherein the capacitor dielectric includes multi-layered crystallographic textures. An integrated circuit device, such as a non-volatile memory device, includes at least one capacitor having a top and bottom electrode thereof and a ferroelectric dielectric layer therebetween. The ferroelectric dielectric layer comprises a first ferroelectric layer having a first crystallographic texture forming a main body of the dielectric layer and a second ferroelectric layer having a second differing crystallographic texture forming an interface layer between the main body and one of the top and bottom electrodes.

Ένας σιδηροηλεκτρικός πυκνωτής λεπτών ταινιών και μια μέθοδος για το ίδιο πράγμα όπου ο πυκνωτής διηλεκτρικός περιλαμβάνει τις πολυστρωματικές κρυσταλλογραφικές συστάσεις. Μια συσκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, όπως μια συσκευή αμετάβλητης μνήμης, περιλαμβάνει τουλάχιστον έναν πυκνωτή που έχει ένα κορυφαίο και κατώτατο ηλεκτρόδιο επ' αυτού και ένα σιδηροηλεκτρικό διηλεκτρικό στρώμα. Το σιδηροηλεκτρικό διηλεκτρικό στρώμα περιλαμβάνει ένα πρώτο σιδηροηλεκτρικό στρώμα που έχουν μια πρώτη κρυσταλλογραφική σύσταση που διαμορφώνει ένα κύριο σώμα του διηλεκτρικού στρώματος και ένα δεύτερο σιδηροηλεκτρικό στρώμα που έχει μια δεύτερη διαφορετική κρυσταλλογραφική σύσταση που διαμορφώνει ένα στρώμα διεπαφών μεταξύ του κύριου σώματος και ενός από τα κορυφαία και κατώτατα ηλεκτρόδια.