The present invention is in the area of memory architecture. More particularly, the present invention provides a method, apparatus, machine-readable medium, and system reduce leakage current in memory. Embodiments may take advantage of the reverse bias characteristic of circuit elements, such as the reverse gate-to-source bias characteristic of a transistor, within the memory to limit leakage and provide for a leakage tolerant data storage technique. Embodiments may also enable the reverse bias characteristic of circuit elements, such as the reverse gate-to-source bias characteristic of a transistor, to be taken advantage of by sourcing charge from data storage elements.

Присытствыющий вымысел находится в зоне зодчества памяти. Определенно, присытствыющий вымысел обеспечивает метод, прибор, machine-readable средство, и система уменьшает течение утечки в памяти. Воплощения могут take advantage of обратное смещение характерное элементов цепи, such as обратное смещение строб-к-istocnika характерное транзистора, в пределах памяти для того чтобы ограничивать утечку и обеспечивать для метода хранений данных утечки веротерпимого. Воплощения могут также позволить обратное смещение характерное элементов цепи, such as обратное смещение строб-к-istocnika характерное транзистора, быть принятым преимущество обязанности sourcing от элементов хранений данных.