Immediately after a Si/SiGe film containing a contaminant is formed over all surfaces of a substrate by epitaxial growth, a portion of the Si/SiGe film formed to the back surface side of the substrate is removed by wet etching. In addition, the Si/SiGe film is subjected to processing with heating in a container, after which a dummy run is carried out in the container. These processings prevent secondary wafer contamination through a stage, a robot arm or a vacuum wand for handling a wafer and the contamination of the container also used in the fabrication process of a semiconductor device free from any group IV element but Si.

Onmiddellijk nadat een film Si dat/SiGe een verontreinigende stof bevat over alle oppervlakten van een substraat door epitaxial groei wordt gevormd, wordt een gedeelte van de film Si/SiGe die aan de achteroppervlaktekant wordt gevormd van het substraat verwijderd door natte ets. Bovendien wordt de film Si/SiGe onderworpen aan verwerking met het verwarmen in een container, waarna wordt een proeflooppas uitgevoerd in de container. Deze verwerking verhinderen secundaire wafeltjeverontreiniging door een stadium, een robotwapen of vacuümwand voor de behandeling van een wafeltje en de verontreiniging van de container die ook in het vervaardigingsproces van een vrij halfgeleiderapparaat om het even welke groep IV element wordt gebruikt maar Si.