A resist mask having a satisfactory resolution effect may be obtained even in the case of use of exposure light having a wavelength of 200 nm or more. An opaque pattern 2a comprising an organic layer for transferring a pattern is constituted by a multi-layer formed by a photo-absorptive organic layer 3a having an light shielding effect or a light attenuating effect even relative to exposure light having a wavelength of 200 nm or more, and a resist layer 4a for chiefly patterning this.

Uma máscara resistir que tem um efeito satisfatório da definição pode ser obtida mesmo no exemplo do uso da luz da exposição que tem um wavelength de 200 nm ou mais. Um teste padrão opaco 2a que compreende uma camada orgânica para transferir um teste padrão é constituído por uma camada 4a multi-layer dada forma por uma camada orgânica foto-photo-absorptive 3a que tem um efeito protegendo da luz ou um efeito atenuando da luz mesmo relativo à luz da exposição que tem um wavelength de 200 nm ou mais, e resistir para principalmente modelar isto.