A memory cell which provides a diffusion path for hydrogen to the transistor is disclosed. The diffusion path is provided by forming a contact in which the upper section overlaps the lower section, thus creating a gap that serve as a hydrogen diffusion path. The hydrogen diffusion path is necessary for annealing the damage to the gate oxide.

Ένα κύτταρο μνήμης που παρέχει μια πορεία διάχυσης για το υδρογόνο στην κρυσταλλολυχνία αποκαλύπτεται. Η πορεία διάχυσης παρέχεται με τη διαμόρφωση μιας επαφής στην οποία το ανώτερο τμήμα επικαλύπτει το χαμηλότερο τμήμα, δημιουργώντας κατά συνέπεια ένα χάσμα που χρησιμεύει ως μια πορεία διάχυσης υδρογόνου. Η πορεία διάχυσης υδρογόνου είναι απαραίτητη για την ανόπτηση της ζημίας στο οξείδιο πυλών.