Graded semiconductor layers between GaN and AlGaN layers in a nitride based semiconductor laser structure reduce the threshold voltage of the laser structure by reducing the electric potential barrier at the interface between the GaN and AlGaN layers. The graded layers can be step graded, continuous graded or digital graded.

Рассортированные слои полупроводника между слоями GaN и AlGaN в основанной нитридом структуре лазера полупроводника уменьшают напряжение тока порога структуры лазера путем уменьшение электрического потенциального барьера на поверхности стыка между слоями GaN и AlGaN. Рассортированные рассортированные слои могут быть рассортированы шага рассортировано, непрерывно или цифровыми.