In at least part of the layers of the integrated optical channel waveguide system, such as cladding layers, a passive light guiding layer and an active light guiding layer, an adiabatic layer thickness transition positioned next to a working zone is used to adapt the waveguide structure in the working zones to individually optimized functionality. In this way, the relative layer thickness values as located in the working area, for example a sensor window, a modulation region and a fiber-chip region, can be individually optimized, for example, for maximal evanescent field sensitivity, for minimal modulation voltage and for efficient coupling of light power without the necessity of the optical layer-thickness values elsewhere in the system having to be adjusted. Incorporated in a Mach-Zehnder interferometer this results in an exceptionally sensitive and reliable sensor. Preferably the channel waveguide system is incorporated in an electronic circuitry in which e.g. a phase shift induced by the quantity to be determined is generated.

Im mindestens Teil der Schichten des integrierten optischen Führung Wellenleitersystems, wie Umhüllungschichten, überlagern eine passive helle leitende Schicht und ein aktives helles Führen, ein adiabatischer Schichtstärke Übergang, der nahe bei einem Arbeitsbereich in Position gebracht wird, wird verwendet, die Wellenleiterstruktur in den Arbeitsbereichen einzeln optimierter Funktionalität anzupassen. Auf diese Art können die relativen Schichtstärke Werte, wie im Funktion Bereich, z.B. ein Sensor-Fenster befunden, eine Modulation Region und eine Faser-Span Region, einzeln optimiert werden, z.B. für maximales dahinschwindendes fangen Sie Empfindlichkeit auf, für minimale Modulation Spannung und für leistungsfähige Koppelung der hellen Energie ohne die Notwendigkeit der optischen Schicht-Stärke Werte anderwohin im müssenden System justiert werden. Verbunden in einem Mach-Zehnder Interferometer ergibt dieses einen außergewöhnlich empfindlichen und zuverlässigen Sensor. Vorzugsweise wird das Führung Wellenleitersystem in einem elektronischen Schaltkreis enthalten, in dem z.B. eine Phasenverschiebung, die durch die Quantität verursacht wird festgestellt zu werden, erzeugt wird.