A method and apparatus for correcting the offset induced by Field Effect Transistor (FET) photo-conductive effects in solid state x-ray detectors includes dedicating rows at the beginning and end of an x-ray detector scan. The dedicated rows may be used to measure the "signal" induced by the photo-conductivity of FET switches in solid state x-ray detectors. Since the signal induced by FET photo-conductivity decays over time, the measurements taken at the beginning and end of a detector scan may be used to predict by interpolation the amount of signal contributed by photo-conductive induced offset for each row of the detector scan on a column by column basis.

Μια μέθοδος και μια συσκευή για το όφσετ που προκαλείται από τα φωτοαγώγιμα αποτελέσματα κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων (FET) στους στερεάς κατάστασης των ακτίνων X ανιχνευτές περιλαμβάνουν την αφιέρωση των σειρών στην αρχή και στο τέλος μιας των ακτίνων X ανίχνευσης ανιχνευτών. Οι αφιερωμένες σειρές μπορούν να χρησιμοποιηθούν για να μετρήσουν το "σήμα" που προκαλείται από τη φωτογραφία-αγωγιμότητα των μεταβάσεων FET στους στερεάς κατάστασης των ακτίνων X ανιχνευτές. Από το σήμα που προκαλείται από τις αποσυνθέσεις φωτογραφία-αγωγιμότητας FET κατά τη διάρκεια του χρόνου, οι μετρήσεις που λαμβάνονται στην αρχή και στο τέλος ενός ανιχνευτή ανιχνεύουν μπορούν να χρησιμοποιηθούν για να προβλέψουν από την παρεμβολή το ποσό σήματος που συνεισφέρεται από το φωτοαγώγιμο προκληθέν όφσετ για κάθε σειρά της ανίχνευσης ανιχνευτών σε μια στήλη από τη στήλη βάση.