A photolithographic process includes providing a layer of photoresistive material on a target substrate. Radiation is transmitted to the photoresistive material through a layer of absorbing material that absorbs the radiation with a transmittance proportional to the thickness of the absorbing material. A surface relief structure is formed in the absorbing material, so that the photoresistive material is only partially exposed in a pattern corresponding to the surface relief structure. Thus, when the photoresistive material is developed, it has a surface relief structure corresponding to the surface relief structure in the absorbing material. Etching the developed photoresistive material and target substrate then forms a surface relief structure in the target substrate that corresponds to the surface relief structure in the developed photoresistive material.

Photolithographic процесс вклюает обеспечивать слой photoresistive материала на субстрате цели. Радиация передана к photoresistive материалу через слой absorbing материала поглощает радиацию с пропускаемостью пропорциональной к толщине absorbing материала. Структура поверхностного сброса сформирована в absorbing материале, так, что photoresistive материал только частично подвергнется действию в картину соответствуя к структуре поверхностного сброса. Таким образом, когда photoresistive материал начат, он имеет структуру поверхностного сброса соответствовать к структуре поверхностного сброса в absorbing материале. Вытравлять начатые photoresistive материал и субстрат цели после этого формирует структуру поверхностного сброса в субстрате цели соответствует к структуре поверхностного сброса в начатом photoresistive материале.