A semiconductor device includes a barrier metal structure which are sandwiched between an electrode provided on a semiconductor chip and a bump. The barrier metal structure has a first through third conductive metal layers, where the third conductive metal layer as an uppermost layer thereof in contact with the bump covers the second conductive metal layer made of a material which is weak in resistance to diffusion and oxidation.

Прибора на полупроводниках вклюает структуру металла барьера прослоены между электродом обеспеченным на обломоке полупроводника и ремуом. Структура металла барьера имеет первые через третьи проводные слои металла, где третий проводной слой металла как uppermost слой thereof in contact with ремуо покрывает второй проводной слой металла сделанный материала который слаб в сопротивлении к диффузии и оксидации.