A gas inlet, which also serves as a counter electrode, is located inside of a vacuum chamber made of an electrically insulating material. A container is mounted on a mandrel mounted on the gas inlet. The chamber is evacuated to a subatmospheric pressure. A process gas is then introduced into the container through the gas inlet. The process gas is ionized by coupling RF power to a main electrode located adjacent an exterior surface of the chamber and to the gas inlet which deposits a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) thin film onto the interior surface of the container.

Uma entrada do gás, que sirva também como um elétrodo contrário, é encontrada dentro de uma câmara do vácuo feita de um material eletricamente isolando. Um recipiente é montado em um mandrel montado na entrada do gás. A câmara é evacuada a uma pressão subatmospheric. Um gás process é introduzido então no recipiente através da entrada do gás. O gás process é ionizado pelo poder de acoplamento RF elétrodo principal a um adjacente encontrado uma superfície exterior da câmara e à entrada do gás que deposita uma película fina química realçada plasma de deposition de vapor (PECVD) na superfície interior do recipiente.