The surface form of a semiconductor thin film such as a polysilicon film formed on a semiconductor substrate is measured through spectro-ellipsometry or measured by performing an IPA quantitative analysis through GC. Mass (gas chromatography) after exposing the semiconductor thin film to IPA (isopropyl alcohol) vapor and drying the semiconductor thin film. Through either of these methods, the surface form of the polysilicon film can be easily and quickly measured.

O formulário de superfície de um semicondutor que a película fina tal como uma película do polysilicon deu forma em uma carcaça do semicondutor é medido com spectro-ellipsometry ou medido executando uma análise quantitative de IPA com o GC. Reuna-se (chromatography de gás) após ter exposto a película fina do semicondutor ao vapor e à secagem de IPA (álcool isopropílico) a película fina do semicondutor. Com qualquer um destes métodos, o formulário de superfície da película do polysilicon pode ser fàcilmente e mediu rapidamente.