A method of forming a cap film comprises a first polishing step of performing a polishing operation at selectivity of R1 (=removal rate for the cap film/removal rate for the insulating film), and a second polishing step of performing a polishing operation at selectivity of R2 (=removal rate for the cap film/removal rate for the insulating film). Each of the polishing operations is performed by using a slurry having the condition of R1>R2. By performing the polishing operations at different selectivity, the cap film free from problems such as dishing of the cap film and the residual cap film on side walls of a recess is formed. Consequently, a semiconductor device having an excellent RC characteristic can be provided.

Метод формировать пленку крышки состоит из первого полируя шага выполнять полируя деятельность на селективности R1 (= тариф удаления для тарифа крышки film/removal для изолируя пленки), и второго полируя шага выполнять полируя деятельность на селективности R2 (= тариф удаления для тарифа крышки film/removal для изолируя пленки). Каждая из полируя деятельностей выполнено путем использование slurry имея условие R1 R2. Путем выполнять полируя деятельности на по-разному селективности, сформирована пленка крышки свободно от проблем such as dishing пленки крышки и остаточной пленки крышки на бортовых стенах гнезда. Следовательно, прибора на полупроводниках имея превосходную характеристику RC можно обеспечить.