A method for forming a mold-encapsulated semiconductor device includes the steps of mounting a semiconductor chip on a metallic plate having a metallic interconnect pattern thereon, encapsulating the semiconductor chip on the metallic interconnect pattern, removing the bottom of the metallic plate by etching to expose the metallic interconnect pattern, and forming external terminals on the bottom of the metallic interconnect pattern. The method reduces the thickness as well as the planar dimensions of the semiconductor device.

Um método para dar forma a um dispositivo de semicondutor mold-mold-encapsulated inclui as etapas de montar uma microplaqueta do semicondutor em uma placa metálica que tem um teste padrão metálico do interconnect thereon, encapsulating a microplaqueta do semicondutor no teste padrão metálico do interconnect, removendo o fundo da placa metálica gravando para expo o teste padrão metálico do interconnect, e dando forma a terminais externos no fundo do teste padrão metálico do interconnect. O método reduz a espessura as.well.as as dimensões planar do dispositivo de semicondutor.