Ferroelectric memory element having an MFIS structure including a silicon semiconductor substrate and an insulating film arranged above the silicon semiconductor substrate. The insulating film includes a low dielectric constant layer restraining film and a mutual diffusion preventive film so that an unnecessary, low dielectric constant layer is prevented from forming between the semiconductor substrate and the insulating film. A ferroelectric film is arranged on the insulating film. The low dielectric constant layer restraining film is thinner than the ferroelectric film.

Ferroelectric geheugenelement dat een structuur MFIS met inbegrip van een substraat van de siliciumhalfgeleider en een isolerende film heeft schikte boven het substraat van de siliciumhalfgeleider. De isolerende film omvat een lage diëlektrische constantelaag die film en een wederzijdse verspreidings preventieve film beperkt zodat een onnodige, lage diëlektrische constantelaag tussen het halfgeleidersubstraat en de isolerende film zich te vormen wordt verhinderd. Een ferroelectric film wordt geschikt op de isolerende film. De lage diëlektrische constantelaag die film beperkt is dunner dan de ferroelectric film.