An edge-emitting laser for generating single-longitudinal mode laser light at a lasing wavelength. A semiconductor active region amplifies, by stimulated emission, light in the laser cavity at the lasing wavelength. A first grating section adjacent to the active region and having a first reflectance and a first effective index of refraction. A second grating section adjacent to the active region and having a second reflectance and the first effective index of refraction. The first and second grating sections have a Bragg wavelength substantially equal to the lasing wavelength. A gratingless phase-shift section is disposed adjacent to the active region and between the first and second grating sections and has a second index of refraction different than the first index of refraction and a length sufficient to impart a phase shift for light at the lasing wavelength sufficient to achieve single-longitudinal mode operation.

Ein Rand-ausstrahlender Laser für das Erzeugen des Einzelnlängsmoduslaserlichts an einer lasing Wellenlänge. Eine aktive Region des Halbleiters verstärkt, durch angeregte Emission, Licht im Laser Raum an der lasing Wellenlänge. Ein erster kratzender Abschnitt neben der aktiven Region und Haben eines ersten Reflexionsvermögens und des ersten wirkungsvollen Brechungsindexs. Ein zweiter kratzender Abschnitt neben der aktiven Region und Haben eines zweiten Reflexionsvermögens und des ersten wirkungsvollen Brechungsindexs. Die ersten und zweiten kratzenden Abschnitte haben eine Bragg Wellenlänge, die der lasing Wellenlänge im wesentlichen gleich ist. Ein gratingless Phasenverschiebungabschnitt wird neben der aktiven Region und zwischen den ersten und zweiten kratzenden Abschnitten abgeschaffen und ein zweites Brechungsindex unterschiedlich als das erste Brechungsindex und eine Länge, die genügend ist, eine Phasenverschiebung für Licht an der lasing Wellenlänge zuzuteilen, die genügend ist, Einzelnlängsmodusbetrieb zu erzielen hat.