A semiconductor device is tested for its function by sandwiching the inventive anisotropic conductive film 1 between a semiconductor device 2 and a circuit board 3, and applying a contact load F of 3-50 gf per one electrode of the device to achieve functionally testable conduction between the device 2 and the board 3. The anisotropic conductive film 1 has a structure wherein plural conductive paths having a total length of 60-500 .mu.m protrude from the both surfaces of the film substrate made of an insulating resin, and shows an elastic modulus of 0.1-1.0 GPa at 25-150.degree. C. The deformation of the anisotropic conductive film during a test is 5-30 .mu.m.

Ein Halbleiterelement wird auf seine Funktion geprüft, indem man den erfinderischen anisotropen leitenden Film 1 zwischen einem Halbleiterelement 2 und einer Leiterplatte 3 sandwiching, und eine Kontaktlast F von gf 3-50 pro eine Elektrode der Vorrichtung, um funktionell prüfbar Übertragung zwischen der Vorrichtung 2 und dem Brett 3 zu erzielen anwenden. Der anisotrope leitende Film 1 hat eine Struktur, worin die plural leitenden Wege, die eine Gesamtlänge von mu.m 60-500 haben, von den beiden Oberflächen des Filmsubstrates hervorstehen, das von einem isolierenden Harz gebildet wird, und zeigt einen elastischen Modul von 0.1-1.0 GPa an 25-150.degree. C. Die Deformation des anisotropen leitenden Filmes während eines Tests ist mu.m 5-30.