To provide a semiconductor device having a function equivalent to that of IGFET, an activation layer is formed by a crystal silicon film crystallized by using a catalyst element helping promote crystallization and a heating treatment is carried out in an atmosphere including a halogen element by which the catalyst element is removed, the activation layer processed by such steps is constituted by a peculiar crystal structure and according to the crystal structure, a rate of incommensurate bonds in respect of all of bonds at grain boundaries is 5 % or less (preferably, 0.3 % or less).

Для того чтобы обеспечить прибора на полупроводниках имея функцию соответствующую к тому из IGFET, слой активации сформирован crystal пленкой кремния выкристаллизовыванной путем использование помогать элемента катализатора повышает кристаллизацию и обработка топления снесена вне в атмосферу включая элемент галоида которым элемент катализатора извлекается, слой активации обрабатываемый такими шагами образована специфической кристаллической структурой и согласно кристаллической структуре, тариф incommensurate скреплений в уважении всего из скреплений на границах зерна 5 % или (предпочтительн, 0.3 % или).