This disclosure describes one-chip micro-integrated optoelectronic sensors and methods for fabricating and using the same. The sensors may include an optical emission source, optical filter and a photodetector fabricated on the same transparent substrate using the same technological processes. Optical emission may occur when a bias voltage is applied across a metal-insulator-semiconductor Schottky contact or a p-n junction. The photodetector may be a Schottky contact or a p-n junction in a semiconductor. Some sensors can be fabricated on optically transparent substrate and employ back-side illumination. In the other sensors provided, the substrate is not transparent and emission occurs from the edge of a p-n junction or through a transparent electrode. The sensors may be used to measure optical absorption, optical reflection, scattering or fluorescence. The sensors may be fabricated and operated to provide a selected spectrum of light emitted and a multi-quantum well heterostructure may be fabricated to filter light reaching the photodetector.

Questa rilevazione descrive i sensori optoelettronici micro-integrati un-circuito integrato ed i metodi per fabbricare ed usando lo stesso. I sensori possono includere una fonte ottica dell'emissione, un filtro ottico e un rivelatore fotoelettrico fabbricato sullo stesso substrato trasparente usando gli stessi processi tecnologici. L'emissione ottica può accadere quando una tensione di polarizzazione è applicata attraverso un contatto dello Schottky del metallo-isolante-semiconduttore o una giunzione di PN. Il rivelatore fotoelettrico può essere un contatto dello Schottky o una giunzione di PN in un semiconduttore. Alcuni sensori possono essere fabbricati sul substrato otticamente trasparente ed impiegare l'illuminazione del dorso. Negli altri sensori forniti, il substrato non è trasparente e l'emissione si presenta dal bordo di una giunzione di PN o tramite un elettrodo trasparente. I sensori possono essere utilizzati per misurare l'assorbimento ottico, la riflessione ottica, la dispersione o la fluorescenza. I sensori possono essere fabbricati e funzionato per fornire uno spettro selezionato di luce emesso e di un'eterostruttura del pozzo di multi-quantum può essere fabbricato per filtrare la luce che raggiunge il rivelatore fotoelettrico.