The present invention relates to a copolymer resin for a photoresist used in far ultraviolet ray such as KrF or ArF, process for preparation thereof, and photoresist comprising the same resin. The copolymer resin according to the present invention is easily prepared by conventional radical polymerization due to the introduction of mono-methyl cis-5-norbonen-endo-2,3-dicarboxylate unit to a structure of norbornene-maleic anhydride copolymer for photoresist. The resin has high transparency at 193 nm wavelength, provides increased etching resistance and settles the problem of offensive odor occurred in the course of copolymer resin synthesis. Further, as the resin composition can be easily controlled due to the molecular structure, the resin can be manufactured in a large scale.

Die anwesende Erfindung bezieht auf einem Copolymerharz für einen Photoresist, der im weiten ultravioletten Strahl wie KrF oder ArF, Prozeß für Vorbereitung davon und der Photoresist enthält das gleiche Harz benutzt wird. Das Copolymerharz entsprechend der anwesenden Erfindung wird leicht durch die herkömmliche radikale Polymerisierung wegen der Einleitung der Monomethyl cis-5-norbonen-endo-2,3-dicarboxylate Maßeinheit zu einer Struktur des norbornene-bösartigen Anhydridcopolymers für Photoresist vorbereitet. Das Harz hat hohes Transparent bei 193 nm der Wellenlänge zur Verfügung, stellt erhöht, Widerstand ätzend und legt das Problem beleidigendem Geruch auftrat im Verlauf der Copolymerharzsynthese bei. Weiter während der Harzaufbau leicht an der molekularen Struktur gesteuertes liegen kann, kann das Harz in einer großen Skala hergestellt werden.