A substrate is made of SiC. A plurality of Al.sub.x Ga.sub.1-x N patterns (0.ltoreq.x.ltoreq.1) is formed on a surface of the substrate and dispersively distributed in an in-plane of the substrate. An Al.sub.y Ga.sub.1-y N buffer layer (0.ltoreq.y.ltoreq.1) covers the surface of the substrate and the Al.sub.x Ga.sub.1-x N patterns. A laser structure is formed on the Al.sub.y Ga.sub.1-y N buffer layer. Since the AlGaN buffer layer is grown by using the AlGaN patterns as seed crystals, a dislocation density of a predetermined region in the AlGaN buffer layer can be lowered. The characteristics of a laser structure can be improved by forming the laser structure above the region having a low dislocation density. Since the AlGaN pattern has electric conductivity, the device resistance can be suppressed from being increased.

Un substrato se hace de SiC. Una pluralidad de los patrones de Al.sub.x Ga.sub.1-x N (0.ltoreq.x.ltoreq.1) se forma en una superficie del substrato y dispersivo se distribuye en un en-plano del substrato. Una capa del almacenador intermediario de Al.sub.y Ga.sub.1-y N (0.ltoreq.y.ltoreq.1) cubre la superficie del substrato y de los patrones de Al.sub.x Ga.sub.1-x N. Una estructura del laser se forma en la capa del almacenador intermediario de Al.sub.y Ga.sub.1-y N. Puesto que la capa del almacenador intermediario de AlGaN es crecida usando los patrones de AlGaN como cristales de semilla, una densidad de dislocación de una región predeterminada en la capa del almacenador intermediario de AlGaN puede ser bajada. Las características de una estructura del laser pueden ser mejoradas formando la estructura del laser sobre la región que tiene una densidad de dislocación baja. Puesto que el patrón de AlGaN tiene conductividad eléctrica, la resistencia del dispositivo se puede suprimir del aumento.