High performance memory devices have been realized by applying an Evenly Scaled Multiple Level Architecture (ESMLA) using block select arrangement. A single-bit-line-write mechanism allows us to reduce the number of bit lines by 50% for static memory devices. The resulting memory device can be as fast as registers files while its area is smaller than prior art high-density memory devices. The scaling method of the memory architecture also assures that the speed of the memory devices will scale in the same rate as logic circuits in future IC manufacture technologies.

Os dispositivos de memória do desempenho elevado foram realizados aplicando uma arquitetura nivelada múltipla uniformente escalada (ESMLA) que usa o arranjo seleto do bloco. Um mecanismo da único-bocado-linha-escrita permite que nós reduzam o número de linhas do bocado por 50% para dispositivos de memória de estática. O dispositivo de memória resultante pode ser tão rapidamente quanto limas dos registos quando sua área for menor do que dispositivos de memória high-density da arte prévia. O método do scaling da arquitetura da memória assegura também que a velocidade dos dispositivos de memória escalará na mesma taxa que os circuitos de lógica no IC futuro manufaturam tecnologias.