A reference circuit in a ferroelectric memory includes a reference plate line and a reference word line adjacently formed in a first direction in correspondence with a cell block including a plurality of unit cells; a plurality of bit lines connected to the unit cells and formed in a second direction; a plurality of parallelly disposed reference capacitors each having a first electrode connected to the reference plate line and a second electrode connected to a storage node SN of a reference cell; an initializing unit connected to the storage node for initializing a level of the reference cell; and a switching block formed between the bit lines and the storage node in correspondence with the bit lines and controlled by signals applied to the reference word line.

Un circuito di riferimento in una memoria ferroelectric include una linea della piastra di riferimento e una linea di parola di riferimento adiacente formate in un primo senso nella corrispondenza con un blocchetto delle cellule compreso una pluralità di cellule dell'unità; una pluralità di linee della punta ha collegato alle cellule dell'unità ed ha formato in un secondo senso; una pluralità di condensatori parallelly disposti di di riferimento ciascuno che ha un primo elettrodo collegato alla linea della piastra di riferimento e un secondo elettrodo collegato ad uno SN di nodo di immagazzinaggio di una cellula di riferimento; un'unità d'inizializzazione ha collegato al nodo di immagazzinaggio per l'inizializzazione del livello della cellula di riferimento; e un blocchetto di commutazione ha formato fra le linee della punta ed il nodo di immagazzinaggio nella corrispondenza con le linee della punta e controllata dai segnali applicati alla linea di parola di riferimento.