A new type of high-Q variable capacitor includes a substrate, a first electrically conductive layer fixed to the substrate, a dielectric layer fixed to a portion of the electrically conductive layer, and a second electrically conductive layer having an anchor portion and a free portion. The anchor portion is fixed to the dielectric layer and the free portion is initially fixed to the dielectric layer, but is released from the dielectric layer to become separated from the dielectric layer, and wherein an inherent stress profile in the second electrically conductive layer biases the free portion away from the a dielectric layer. When a bias voltage is applied between the first electrically conductive layer and the second electrically conductive layer, electrostatic forces in the free portion bend the free portion towards the first electrically conductive layer, thereby increasing the capacitance of the capacitor.

Eine neue Art hoher-Q variabler Kondensator schließt ein Substrat, eine erste elektrisch leitende Schicht mit ein, die am Substrat, eine dielektrische Schicht befestigt wird, die elektrisch an einem Teil der elektrisch leitenden Schicht und der Sekunde leitenden Schicht hat einen Ankerteil und einen freien Teil befestigt wird. Der Ankerteil wird an der dielektrischen Schicht befestigt und der freie Teil wird zuerst an der dielektrischen Schicht befestigt, aber wird von der dielektrischen Schicht, um getrennt von der dielektrischen Schicht zu werden freigegeben und worin ein zugehöriges Druckprofil in der Sekunde elektrisch leitenden Schicht den freien Teil beeinflußt, der von der dielektrischen Schicht weg ist. Wenn eine Vorspannung zwischen der ersten elektrisch leitenden Schicht und der Sekunde elektrisch leitenden Schicht angewendet wird, verbiegen elektrostatische Kräfte im freien Teil den freien Teil in Richtung zur ersten elektrisch leitenden Schicht, dadurch sieerhöhen sieerhöhen die Kapazitanz des Kondensators.