A method of cleaning and removing water and entrained solutes during a manufacturing process from a microelectronic device such as a resist-coated semiconductor substrate, a MEM's device, or an optoelectronic device comprising the steps of: (a) providing a partially fabricated integrated circuit, MEM's device, or optoelectronic device having water, entrained solutes, and/or solid particles or the like on the substrate; (b) providing a densified (e.g., liquid or supercritical) carbon dioxide cleaning composition, the drying composition comprising carbon dioxide and, optionally but preferably, a cleaning adjunct; (c) immersing the surface portion in the densified carbon dioxide cleaning composition; and then (d) removing the cleaning composition from the surface portion.

Un metodo di pulizia e dell'acqua e dei soluti trascinati di rimozione durante il processo di manufacturing da un dispositivo microelettronico quali un substrato resist-coated a semiconduttore, il dispositivo del MEM, o un dispositivo optoelettronico che contiene i punti: (a) fornendo un circuito integrato parzialmente fabbricato, dispositivo del MEM, o dispositivo optoelettronico che ha acqua, soluti trascinati e/o particelle e simili solide sul substrato; (b) fornendo la a densified (per esempio, liquido o ipercritico) la composizione in pulizia dell'anidride carbonica, la composizione di secchezza che contiene l'anidride carbonica e, facoltativamente ma preferibilmente, un'aggiunta di pulizia; (c) immergendo la parte di superficie nel densified la composizione in pulizia dell'anidride carbonica; ed allora (d) rimuovendo la composizione in pulizia dalla parte di superficie.