A semiconductor light emitting device using nitride III-V compound semiconductors is improved to reduce the threshold current density with almost no increase of the operation voltage. In a GaN semiconductor laser as one version thereof, the p-type cladding layer is made of two or more semiconductor layers different in band gap, and a part of the p-type cladding layer near one of its boundaries nearer to the active layer is made of a semiconductor layer having a large band gap than that of the remainder part. More specifically, in a AlGaN/GaN/GaInN SCH-structured GaN semiconductor laser, a p-type AlGaN cladding layer is made of a p-type Al.sub.x1 Ga.sub.1-x1 N layer in contact with a p-type GaN optical guide layer, and a p-type Al.sub.x2 Ga.sub.1-x2 N layer overlying the p-type Al.sub.x1 Ga.sub.1-x1 N layer (where 0.ltoreq.x2 Μια ελαφριά εκπέμποντας συσκευή ημιαγωγών που χρησιμοποιεί το νιτρίδιο IIIV σύνθετοι ημιαγωγοί βελτιώνεται για να μειώσει την πυκνότητα ρεύματος κατώτατων ορίων με σχεδόν καμία αύξηση της τάσης λειτουργίας. Σε ένα λέιζερ ημιαγωγών GaN ως μια έκδοση επ' αυτού, το στρώμα επένδυσης π-τύπων αποτελείται από δύο ή περισσότερα στρώματα ημιαγωγών διαφορετικά στο χάσμα ζωνών, και ένα μέρος του στρώματος επένδυσης π-τύπων κοντά σε ένα από τα όριά του κοντινότερα στο ενεργό στρώμα αποτελείται από ένα στρώμα ημιαγωγών που έχει ένα μεγάλο χάσμα ζωνών από αυτό του μέρους υπολοίπου. Πιό συγκεκριμένα, σε ένα σθχ-δομημένο AlGaN/GaN/GaInN λέιζερ ημιαγωγών GaN, ένα στρώμα επένδυσης π-τύπων AlGaN αποτελείται από ένα στρώμα π-τύπων Al.sub.x1 Ga.sub.1-x1 ν σε επαφή με ένα οπτικό στρώμα οδηγών π-τύπων GaN, και ένα στρώμα π-τύπων Al.sub.x2 Ga.sub.1-x2 ν επικαλύπτοντας το στρώμα π-τύπων Al.sub.x1 Ga.sub.1-x1 ν (όπου 0.ltoreq.x2