A semiconductor memory device having a memory system and a redundancy system including redundant elements for repairing a plurality of defects in the memory system, comprising a plurality of address fuse sets each including address fuses for programming a defective address in the memory system, and a master fuse for preventing a corresponding redundant element from being selected when the redundant element is not used, wherein at least one master fuse is shared by at least two fuse sets among the plurality of address fuse sets.

Eine Halbleiterspeichervorrichtung, die ein Gedächtnissystem und ein Redundanzsystem einschließlich überflüssige Elemente für die Reparatur einer Mehrzahl von Defekten im Gedächtnissystem, eine Mehrzahl von der Adresse Sicherung enthalten hat, stellt jedes einschließlich Adresse Sicherungen für die Programmierung einer defekten Adresse im Gedächtnissystem und eine Vorlagensicherung für das Verhindern eines entsprechenden überflüssigen Elements an vorgewählt werden ein, wenn das überflüssige Element nicht benutzt wird, worin mindestens eine Vorlagensicherung durch mindestens zwei Sicherung Sätze unter der Mehrzahl der Adresse Sicherung Sätze geteilt wird.