A method of forming, on a single-crystal semiconductor substrate of a first material, quantum dots of a second material, including growing by vapor phase epitaxy the second material on the first material in optimal conditions adapted to ensuring a growth at a maximum controllable rate. In an initial step, a puff of a gas containing the second material is sent on the substrate, in conditions corresponding to a deposition rate much faster than the maximum controllable rate.

Μια μέθοδος, σε ένα μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα ημιαγωγών πρώτα υλικά, κβαντικά σημεία ενός δεύτερου υλικού, συμπεριλαμβανομένης της ανάπτυξης από την επιταξία φάσης ατμού του δεύτερου υλικού στο πρώτο υλικό στους βέλτιστους όρους που προσαρμόζονται στην εξασφάλιση μιας αύξησης σε ένα μέγιστο ελέγξιμο ποσοστό. Σε ένα αρχικό βήμα, μια ριπή ενός αέριο περιορισμού του δεύτερου υλικού στέλνεται στο υπόστρωμα, στους όρους που αντιστοιχούν σε ένα ποσοστό απόθεσης πολύ γρηγορότερα από το μέγιστο ελέγξιμο ποσοστό.