In a gas-phase treating process of a semiconductor wafer using hydrogen, there is provided a technique for safely eliminating the hydrogen in an exhaust gas discharged from a gas-phase treating apparatus. The profile at the end portions of the side walls of gate electrodes of a poly-metal structure is improved by forming the gate electrodes over a semiconductor wafer IA having a gate oxide film and then by supplying the semiconductor wafer 1A with a hydrogen gas containing a low concentration of water, as generated from hydrogen and oxygen by catalytic action, to oxidize the principal face of the semiconductor wafer 1A selectively. After this, the hydrogen in the exhaust gas, as discharged from an oxidizing furnace, is completely converted into water by causing it to react with oxygen by a catalytic method.

In einem behandelnden Gasphasenprozeß eines Halbleiterplättchens mit Wasserstoff, wird einer Technik für den Wasserstoff in einem Abgas sicher beseitigen zur Verfügung gestellt, der von einem behandelnden Gasphasenapparat entladen wird. Das Profil an den Ende Teilen der seitlichen Wände der Gate-Elektroden einer Poly-Metallstruktur wird durch die Formung der Gate-Elektroden über einem Halbleiterplättchen verbessert IA, das einen Gatteroxidfilm hat und dann, durch das Liefern des Halbleiterplättchen 1A mit einem Wasserstoffgas, das eine niedrige Konzentration des Wassers enthält, wie vom Wasserstoff und vom Sauerstoff durch katalytische Tätigkeit erzeugt, um das Hauptgesicht des Halbleiterplättchen 1A selektiv zu oxidieren. Nach diesem wird der Wasserstoff im Abgas, wie von einem oxidierenden Ofen entladen, vollständig in Wasser durch das Veranlassen es, mit Sauerstoff zu reagieren durch eine katalytische Methode umgewandelt.