The present invention is a process for enhancing the chemical vapor
deposition of titanium nitride from a titanium containing precursor
selected from the group consisting of tetrakis(dimethylamino)titanium,
tetrakis(diethylamino)titanium and mixtures thereof, reacted with ammonia
to produce the titanium nitride on a semiconductor substrate by the
addition of organic amines, such as dipropylamine, in a range of
approximately 10 parts per million by weight to 10% by weight, preferably
50 parts per million by weight to 1.0 percent by weight, most preferably
100 parts per million by weight to 5000 parts per million by weight to the
titanium containing precursor wherein prior to the reaction, said titanium
containing precursor is subjected to a purification process to remove
hydrocarbon impurities from the titanium containing precursor. It is shown
that addition of small amounts of organic amines enhance the deposition
rate of titanium nitride, while the presence of hydrocarbons, such as
n-decane, retard the deposition rate of titanium nitride.
Die anwesende Erfindung ist ein Prozeß für das Erhöhen der Absetzung des chemischen Dampfes des Titannitrids von einem enthaltenen Titanvorläufer, der von der Gruppe vorgewählt wird, die aus tetrakis(dimethylamino)titanium, tetrakis(diethylamino)titanium besteht und Mischungen davon, reagiert mit Ammoniak, um das Titannitrid auf einem Halbleitersubstrat durch die Hinzufügung der organischen Amine, wie dipropylamine, in einer Strecke ungefähr 10 Teile pro Million nach Gewicht bis 10% nach Gewicht zu produzieren, vorzugsweise 50 Teile pro Million nach Gewicht zu 1.0 Prozent nach Gewicht, am liebsten 100 Teile pro Million nach Gewicht zu 5000 Teilen pro Million nach Gewicht zum enthaltenen Titanvorläufer, worin vor der Reaktion, besagter enthaltener Titanvorläufer wird unterworfen einer Reinigung Prozeß, zum der Kohlenwasserstoffverunreinigungen vom enthaltenen Titanvorläufer zu entfernen. Es wird gezeigt, daß Hinzufügung von etwas der organischen Amine die Absetzungrate des Titannitrids erhöhen, während das Vorhandensein der Kohlenwasserstoffe, wie n-decane, die Absetzungrate des Titannitrids verzögert.
