There is provided a semiconductor device having TFTs whose thresholds can be controlled. There is provided a semiconductor device including a plurality of TFTs having a back gate electrode, a first gate insulation film, a semiconductor active layer a second gate insulation film and a gate electrode, which are formed on a substrate, wherein an arbitrary voltage is applied to the back gate electrode.

On fournit un dispositif de semi-conducteur ayant TFTs dont les seuils peuvent être commandés. On fournit un dispositif de semi-conducteur comprenant une pluralité de TFTs ayant une électrode de porte arrière, un premier film d'isolation de porte, une couche active de semi-conducteur un deuxième film d'isolation de porte et une électrode de porte, qui sont formés sur un substrat, où une tension arbitraire est appliquée à l'électrode de porte arrière.