Disclosed is an inventive diode which can reduce a stray capacity to improve various characteristics thereof, in which a dielectric layer, a conductive layer and a second dielectric layer are respectively formed by deposition in this order on an upper face of a semiconductor substrate excluding a central portion of an exposed surface of a P-type region. Then, an anode side electrode is formed extending from the exposed surface of the P-type region to the upper face of the second dielectric layer, and is electrically connected with the P-type region. Herein, the conductive layer is formed such that it is isolated from the electrode by the second dielectric layer, is connected with the semiconductor substrate upper face in a location where the dielectric layer has not been formed, and partially resides in a location sandwiched between the electrode and the semiconductor substrate. Such configuration could prevent a depletion layer from being generated in the vicinity of a surface of a higher resistivity region lying under the conductive region. Further, according to such configuration, a stray capacity between the electrode and the semiconductor substrate could be made lower than the capacity value generated between the electrode and the conductive layer.

Onthuld wordt een vindingrijke diode die een verdwaalde capaciteit kan verminderen om diverse kenmerken te verbeteren daarvan, waarin een diëlektrische laag, een geleidende laag en een tweede diëlektrische laag respectievelijk door deposito in deze orde op een hoger gezicht van een halfgeleidersubstraat exclusief een centraal gedeelte van een blootgestelde oppervlakte van een p-Type gebied worden gevormd. Dan, wordt een anode zijelektrode gevormd zich uitbreidt van de blootgestelde oppervlakte van het p-Type gebied tot het hogere gezicht van de tweede diëlektrische laag, en elektrisch verbonden aan het p-Type gebied. Hierin, wordt de geleidende laag gevormd dusdanig dat het van de elektrode door de tweede diëlektrische laag wordt geïsoleerd, wordt verbonden aan het hogere gezicht van het halfgeleidersubstraat in een plaats waar de diëlektrische laag niet is gevormd, en gedeeltelijk in een plaats verbleven die tussen de elektrode en het halfgeleidersubstraat wordt geklemd. Dergelijke configuratie kon een uitputtingslaag in de buurt van een oppervlakte verhinderen die van een hoger weerstandsvermogengebied worden geproduceerd onder het geleidende gebied ligt. Verder, volgens dergelijke configuratie, zouden een verdwaalde capaciteit tussen de elektrode en het halfgeleidersubstraat lager kunnen worden gemaakt dan de capaciteitswaarde die tussen de elektrode en de geleidende laag wordt geproduceerd.