A method for interconnecting high-temperature silicon carbide (SiC) devices enables such high-temperature devices to be used in fabricating electronic circuits of significant scale. This method comprises empirically measuring operational characteristics of a plurality of the devices to be interconnected, the operational characteristics comprising devices which are measured to be non-working and devices which are measured to be working; characterizing the operational characteristics in an operational characteristics map; designing interconnection paths between and among the devices that are characterized to be working by the operational characteristics map; and excluding from the interconnection paths, devices that are characterized to be non-working by the operational characteristics map. A preferred embodiment of this method further includes disposing a temporary polymer layer over the devices; forming via holes through the temporary polymer layer, to bonding pads of the devices; applying a current-balancing resistive metal over the temporary polymer layer; establishing connections between the current-balancing resistive metal and the bonding pads; designing the interconnection paths between and among the working devices by patterning the current-balancing resistive metal based on the operational characteristics map; and removing the temporary polymer layer.

Une méthode pour relier ensemble les dispositifs à hautes températures de carbure de silicium (SiC) permet à de tels dispositifs à hautes températures d'être utilisés en fabriquant les circuits électroniques de la balance significative. Cette méthode comporte les caractéristiques opérationnelles empiriquement de mesure d'une pluralité des dispositifs à relier ensemble, les caractéristiques opérationnelles comportant les dispositifs qui sont mesurés pour être non-travaillants et les dispositifs qui sont mesurés fonctionner ; caractérisant les caractéristiques opérationnelles dans les caractéristiques opérationnelles tracent ; concevant des chemins d'interconnexion entre et parmi les dispositifs qui sont caractérisés fonctionner par la carte de caractéristiques opérationnelles ; et excluant des chemins d'interconnexion, dispositifs qui sont caractérisés pour être non-travaillants par la carte de caractéristiques opérationnelles. Un mode de réalisation préféré de cette méthode inclut plus loin disposer une couche provisoire de polymère au-dessus des dispositifs ; formant par l'intermédiaire des trous par la couche provisoire de polymère, aux plots de connexion des dispositifs ; application d'un métal résistif d'courant-équilibrage au-dessus de la couche provisoire de polymère ; établissement des raccordements entre le métal résistif d'courant-équilibrage et les plots de connexion ; en concevant les chemins d'interconnexion entre et parmi les dispositifs fonctionnants en modelant le métal résistif d'courant-équilibrage basé sur les caractéristiques opérationnelles tracez ; et enlevant la couche provisoire de polymère.