A multi-value single electron memory using a multi-quantum dot, in which the floating gates (FG) of a EEPROM or a flash memory are formed to act as two quantum dots, and the two quantum dots are applied to multi-value memories, and a driving method of the multi-value single electron memory, are provided. Thus, a multi-value memory can be realized using two quantum dots. Also, an ultra-highly integrated memory of 1 Tb or greater can be realized without encountering a physical limit such as a short channel effect (SCE) caused by scaling down MOSFETs, in contrast to other memories.

Memória do elétron do multi-valor uma única usando um ponto do multi-quantum, em que as portas flutuando (FG) de um EEPROM ou de uma memória flash são dadas forma para agir como dois pontos do quantum, e os dois pontos do quantum são aplicados às memórias do multi-valor, e um método dirigindo memória do elétron do multi-valor da única, é fornecido. Assim, uma memória do multi-valor pode ser realizada usando dois pontos do quantum. Também, uma memória ultra-highly integrada de 1 Tb ou um mais grande podem ser realizados sem encontrar um limite físico tal como um efeito curto da canaleta (SCE) causado por mOSFETs da pena de scaling, no contraste a outras memórias.